Merkmale: T10 Multi-Stream Schreiben, End-to-End-Datenschutz, Stromausfallschutz (SAS), T10 Data Integrity Field (DIF), Power Disable Pin (Pin3), 112-layer 3D BiCS FLASH
Laufwerkklasse: Enterprise
Datenübertragungsrate: 2.8 GBps
Schnittstelle: SAS 24Gb/s
Formfaktor: 2.5" (6.4 cm)
NAND-Flash-Speichertyp: 3D triple-level cell (TLC)
Merkmale: T10 Multi-Stream Schreiben, End-to-End-Datenschutz, Stromausfallschutz (SAS), T10 Data Integrity Field (DIF), Power Disable Pin (Pin3), 112-layer 3D BiCS FLASH
Laufwerkklasse: Enterprise
Datenübertragungsrate: 2.8 GBps
Schnittstelle: SAS 24Gb/s
Formfaktor: 2.5" (6.4 cm)
NAND-Flash-Speichertyp: 3D triple-level cell (TLC)
Merkmale: Unterbrechungsfreier Betrieb (24x7), Open Compute Project 2.0, ein Port, Stromausfallschutz (SAS), End-to-End-Datenschutz, Sanitize Instant Erase (SIE)
Laufwerkklasse: Rechenzentrum, Lesen intensiv
Schnittstelle: PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Formfaktor: 2.5" (6.4 cm)
NAND-Flash-Speichertyp: 3D triple-level cell (TLC)
Kapazität: 3840 GB
Typ: Solid State Drive - intern
Verwendung von Cookies
Wir verwenden Cookies, um die grundlegenden Funktionen der Website zu gewährleisten und um Ihr Online-Erlebnis zu verbessern. Sie können für jede Kategorie wählen, ob Sie sich ein- oder austragen möchten. Für weitere Einzelheiten zu Cookies und anderen sensiblen Daten lesen Sie bitte die vollständige Datenschutzerklärung Cookie-Einstellungen
Cookie-Einstellungen
Diese Website benutzt Cookies, die für den technischen Betrieb der Website erforderlich sind und stets gesetzt werden. Andere Cookies, um Inhalte und Anzeigen zu personalisieren und die Zugriffe auf unsere Website zu analysieren, werden nur mit Ihrer Zustimmung gesetzt. Außerdem geben wir Informationen zu Ihrer Verwendung unserer Website an unsere Partner für soziale Medien, Werbung und Analysen weiter. Mehr Infos