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SSD 2TB Samsung M.2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus retail
Verfügbar
Artikelnr.
503653
Hersteller
Samsung
Herstellerartikelnr.
MZ-V9S2T0BW
EAN-Code
8806095575650
Warengruppe
Solid State Drives
Außenmaße (B x T x H)
20mm x 145mm x 100mm [Eigenmessung]
Gewicht
0.062kg [Eigenmessung inkl. Verpackung & Beilagen]
Verpackungseinheiten
1 Stück | 10 Stück | 60 Stück
Mind. Bestellmenge (Projekt)
20 Stück
 

Die Samsung 990 EVO Plus ist ein leistungsstarkes internes Solid State-Laufwerk, das mit einer Kapazität von 2 TB die Speicherleistung erhöht. Ausgestattet mit der Samsung V-NAND TLC-Technologie gewährleistet dieses Laufwerk eine Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung mit einer internen Datenrate von 7250 MB/s und einer Schreibgeschwindigkeit von 6300 MB/s, was einen nahtlosen Betrieb für anspruchsvolle Anwendungen und die Verwaltung großer Dateien ermöglicht. Mit der Unterstützung von PCI Express 4.0- und 5.0-Schnittstellen erfüllt es verschiedene Systemanforderungen und bietet gleichzeitig Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit.Mit fortschrittlichen Funktionen wie der Intelligent TurboWrite Technology und einem Auto Garbage Collection Algorithmus sorgt die Samsung 990 EVO Plus auch bei hoher Arbeitsbelastung für Effizienz und Haltbarkeit. Mit einer Stoß- und Vibrationsfestigkeit von bis zu 1500 g und einem Temperaturbereich von -40°C bis 85°C ist sie sowohl für private als auch für professionelle Umgebungen geeignet. Diese SSD gewährleistet einen schnellen Datenzugriff und bietet eine Hardwareverschlüsselung für verbesserte Sicherheit, was sie zu einer idealen Wahl für Benutzer macht, die die Systemleistung verbessern möchten.

256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung für erhöhte Sicherheit
Robuste Wärmetoleranz mit einer maximalen Betriebstemperatur von 70°C
Intelligente TurboWrite-Technologie für effizientes Datenmanagement
Interne Datenübertragungsraten von 7250 MB/s für schnellere Leistung
2 TB Kapazität für umfangreichen Speicherplatz
Haupt-Spezifikationen
Herstellergarantie
5 Jahre Garantie
Merkmale
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Schnittstelle
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Formfaktor
M.2 2280
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
Hardwareverschlüsselung
Ja
Kapazität
2 TB
Typ
Solid State Drive - intern

Abmessungen und Gewicht
Breite
22.15 mm
Gewicht
9 g
Höhe
2.38 mm
Tiefe
80.15 mm

Festplattenlaufwerk
Festplattentyp
Internes Festplattenlaufwerk
Formfaktor
M.2 2280
Formfaktor (kurz)
M.2
Formfaktor (kurz) (metrisch)
M.2
Formfaktor (metrisch)
M.2 2280
Interne Datenrate (Schreiben)
6300 MBps
Interner Datendurchsatz
7250 MBps
Kapazität
2 TB
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Schnittstelle
PCI Express 4.0 x4 (NVMe), PCI Express 5.0 x2 (NVMe)

Header
Hersteller
Samsung
Marke
Samsung
Modell
MZ-V9S2T0
Packungsmenge
1
Produktlinie
Samsung 990 EVO Plus

Massenspeicher
Typ
Solid State Drive

Service und Support
Typ
5 Jahre Garantie

Verschiedenes
MTBF
1.500.000 Stunden

Samsung Electronic
Adresse: PO Box 12987, Dublin, Irland